微波等離子去膠機(jī)具有操作簡單、效過好、無損傷、無劃痕、無殘留物、表面干凈光沾、無須干燥處理的特點(diǎn)。能夠去除較難處理的SU-8光刻膠或經(jīng)列體面改性的長部能工作氣體可以采用氧氣和氫氣的混合物。利用象您氣體與5一8光到膠的化學(xué)反應(yīng)能夠快速將其去除。此外，常壓射頻介質(zhì)阻擋輝光放電等蒸發(fā)的工藝，都是去除光刻膠或進(jìn)行掩模基片表面干法清洗的常用方法。該去膠裝置由去離子水儲(chǔ)罐、CO,儲(chǔ)氣罐、混合罐、對混合溶液加熱的熱交換器，以及用于對掩模基片或圓片去膠的反應(yīng)腔體組成。

　　光刻膠去除是半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中的一一個(gè)重要環(huán)節(jié)。在掩模版制造過程或集成電體有院中、 以及在電子來曝光紫外路光等微納米加工工藝中，光刻戰(zhàn)路越圖形轉(zhuǎn)移的黃介作用，因此在完成圖形轉(zhuǎn)移后，需要將北刻膠*去除以避免殘留的光刺膠影響后續(xù)工藝的質(zhì)量。

　　光刻膠去除方法可以分為兩種，一種是濕法去膠，主要采用堿性溶液去除常規(guī)正性光刻膠，而負(fù)性光刻膠主要采用有機(jī)化學(xué)溶劑(如丙酮等)去除，但為了將光刻膠*去除干凈，通常還需要采用氧等離子清除底膜:另-種是干法去膠，主要采用等離子去膠機(jī)(Plasma Resist Stipper),利用氣態(tài)的等離子體使光刻膠氧化成揮發(fā)性氣體，隨時(shí)被真空泵吸除。

　　微波等離子去膠機(jī)是普遍的去膠方法，其原理是在1500V高壓的真空反應(yīng)腔中，由高頻信號發(fā)生器產(chǎn)生的強(qiáng)電磁場使通人的氧氣發(fā)生電離，形成由氧離子、活化的氧原子、氧分子和電子等混合的等離子體輝光放電區(qū)，其中的原子態(tài)氧與光刻膠中的C及日產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成co和CO2氣體以及水汽，并被真空泵抽走。