濕法刻蝕系統工藝主要包括三部分：硫酸、硝酸、氫氟酸氫氧化鉀氫氟酸本工藝過程中，硝酸將硅片背面和邊緣氧化，形成二氧化硅，氫氟酸與二氧化硅反應生成絡合物六氟硅酸，從而達到刻蝕的目的。刻蝕之后經過KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并將從刻蝕槽中攜帶的未沖洗干凈的酸除去。利用HF酸將硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水沖洗硅片，用壓縮空氣將硅片表面吹干。
 

　　濕法刻蝕系統主要控制點：
 

　　1、腐蝕深度控制在1.2±0.2之間。
 

　　2、刻蝕寬度D≤1，每片測量四點，測量點在每邊的中間點，20點(5道)或32點(8道)的平均值。
 

　　3、絕緣電阻≥1。以上三個參數在正常生產時至少每隔1小時測量一次。當更換藥液和停產一段時間再生產時及參數不正常時，要求增加測量次數。
 

　　4、腐蝕槽循環流量要求設定在30~35之間。循環流量過小會導致腐蝕量不夠，甚至硅片邊緣不能*去除；循環量過大會導致過腐蝕現象和硅片邊緣刻蝕寬度出現陰影嚴重引起表面不合格。
 

　　5、腐蝕槽溫度保證在7士1℃，隨著溫度的升高，腐蝕速率會加快，但會使藥液密度減小，以致發生過腐蝕現象。所以在溫度未降到工藝控制范圍內時禁止生產。
 

　　6、堿洗槽溫度要求≤23℃。當發現堿洗槽溫度超過控制范圍時，及時通知相關負責人進行檢查調整。
 

　　7、堿洗槽噴淋量要求，且首先保證下噴淋量充足，以便使硅片背面多孔硅腐蝕充分。
 

　　8、壓縮空氣風干Dryer處風刀頻率及流量的控制太小，易造成硅片不能*風干；過大易產生碎片。以硅片上下表面能夠被*風干為前提。建議風刀頻率為：80%~85%；壓縮空氣流量：(8道)≥20立方米每小時。