微波等離子去膠機的去膠工藝是微加工實驗中一個非常重要的過程。在電子束曝光、紫外曝光等微納米加工工藝之后,都需要對光刻膠進行去除或打底膜處理。光刻膠去除的是否干凈*、對樣片是否有損傷等問題將直接影響到后續工藝的順利完成。微波等離子去膠機工藝監測和數據采集軟件可實現嚴格的質量控制。占地面積小,安裝維護簡單。依靠微波等離子體技術,該設備在提供*的光刻膠灰化速度的同時,較大程度較低了產品暴露在靜電中風險。
微波等離子去膠機的真空腔采用石英管結構,適于對基片進行去膠、清洗等工藝。該設備具有去膠工藝簡單、可靠、*、速率快、成品率高、處理后無酸氣廢水等殘留等特點。微波等離子去膠機采用國內優射頻源,其電磁兼容性能優良、高頻輻射小,符合國家環保規定。本機外形美觀大方,操作簡便。
微波等離子去膠機產品用途:
1.高劑量離子注入光刻膠的去除
2.濕法或干法刻蝕前后的去殘膠
3.MEMS中犧牲層的去除
4.去除化學殘余物
5.清除浮渣工藝
微波等離子去膠機操作方法:
將待去膠片插入石英舟并平行氣流方向,推入真空室兩電極間,抽真空到 1.3Pa,通入適量氧氣,保持反應室壓力在 1.3-13Pa,加高頻功率,在電極間產生淡紫色輝光放電,通過調節功率、流量等工藝參數,可得不同去膠速率,當膠膜去凈時,輝光消失。
微波等離子去膠機影響因素:
頻率選擇:頻率越高,氧越易電離形成等離子體。頻率太高,以至電子振幅比其平均自由程還短,則電子與氣體分子碰撞幾率反而減少,使電離率降低。一般常用頻率為 13.56MHz及2.45GHZ 。
功率影響:對于一定量的氣體,功率大,等離子體中的的活性粒子密度也大,去膠速度也快;但當功率增大到一定值,反應所能消耗的活性離子達到飽和,功率再大,去膠速度則無明顯增加。由于功率大,基片溫度高,所以應根據工藝需要調節功率。
真空度的選擇:適當提高真空度,可使電子運動的平均自由程變大,因而從電場獲得的能量就大,有利電離。另外當氧氣流量一定時,真空度越高,則氧的相對比例就大,產生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高,活性粒子濃度反而會減小。
氧氣流量的影響:氧氣流量大,活性粒子密度大,去膠速率加快;但流量太大,則離子的復合幾率增大,電子運動的平均自由程縮短,電離強度反而下降。微波等離子去膠機若反應室壓力不變,流量增大,則被抽出的氣體量也增加,其中尚沒參加反應的活性粒子抽出量也隨之增加, 因此流量增加對去膠速率的影響也就不甚明顯。